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MOS管的源极,漏极,栅极是不是联通的,电流是什么走向?

栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.

这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏.MOS管使用常识: 栅极悬空是不允许的,会击穿.

1、区别:源极(source)source资源,电源,中文翻译为源极.起集电作用的电极.漏极(drain)drain排出,泄漏,中文翻译为漏极.起发射作用的电极.2、mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属绝缘体(insulator)半导体.MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区.在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能.这样的器件被认为是对称的.

MOS衬底与栅极间存在一层很薄的二氧化硅绝缘膜,而两个扩展区(即漏极和源极)是分开的,与衬底形成两个背向的PN结,如果在栅极和衬底之间加合适电压,可以使衬底靠近栅极的部分出现反型层(即与漏极源极同型),这时出现导电沟道,在漏极和源极之间加电压就可以产生电流了. 由于没有图,很难说得清楚的.你可以去找一本模拟电子技术的书看啊

是从饱和区到放大区的临界点载流子在勾道里面的分布状态,如果忽略栅极的漏过来的电流fA量级,漏极的电流和源极的电流时一样的,只不过继续加大漏源电压的时候漏极电流变化不大而进入管子的放大区,MOS管简单可以这样讲,但是仔细讲的话可不是这么简单的咯以上的例子针对N沟道增强型的管子来说的哈,对于别的管子逻辑上自己判断一下就好咯~很简单的

一般功率MOS管是有方向的,你可是测试一下,源漏可以等效成一个二极管.接反了就直通了.

以NMOS为例:当NMOS直接做在P型衬底上时,为了防止衬底与源漏的PN结正偏导通,衬底要接最低电位,对单个MOS而言,衬底和源可以直接相连;但如果是在集成电路里面,所有MOS管的衬底都接了最低电位,但源端可能不是接最低电位,这时源和衬底就是不连一起的,这时就会出现衬偏效应,导致阈值电压飘移,变得比衬源相连时更大,所以其实我们是希望衬源相连的,只是有时候没法这么做.在现在双阱CMOS工艺中,NMOS做在P型阱里面,阱就相当于NMOS的衬底,由于阱与阱之间是隔离的,所以电位可以不相同,这时,所有NMOS的衬源就可以直接相接了

mos管的栅极(gate)存在一个平板寄生电容,有兴趣可以看看半导体器件方面的资料如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电,所以栅极的电压其实还是基本维持在5v,越大的mos管电容也就越大,这个现象也就越严重.如需要将其拉低,就需要在栅极加一个下拉电阻使栅极电容能够放电,放完电mos自然就关断了,

nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的,一般NMOS的源极接衬底,共同接到地,漏极到源极加上正电压,电子从源极向漏极流动,我们取电流的方向和电子流动的方向相反,所以电流是漏极流到源极.如果NMOS的源极不接衬底,不接到地,那么只要是G-S正偏就可以,Vgs大于门槛电压,MOS就可以导通.电流可由D-->S,也可S-->D.主要是看源极和漏极之间的电位,漏极电位高于源极,电流D到S.源极电位高于漏极,电流S到D.

MOS管工作是靠沟道导通电流,PN结只是控制沟道宽度,这和三极管、二极管通过PN结导通电流不同,因此三极管的基极和集电极或发射极连接可以代替二极管,但MOS管的栅漏或栅源极连接是不能代替二极管的.

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